Intel率先引进ASML Twinscan EXE:5000 EUV高孔径光刻机，并在俄勒冈州工厂安装两台用于研究测试。该光刻机通过减少曝光次数和处理步骤，显著节省时间和成本。与上一代相比，新光刻机的可靠性更高，单次曝光分辨率可达8nm，晶体管密度提高2.9倍。虽然现有光刻机也能达到8nm分辨率，但需要多次曝光，效率较低。全速量产后，新光刻机每小时可生产400-500块晶圆，效率大幅提升。Intel计划使用该光刻机生产14A（1.4nm）工艺产品，预计2026年左右量产，而今年下半年量产的18A（1.8nm）工艺仍将使用现有光刻机。

🚀ASML Twinscan EXE:5000 EUV是目前最先进的光刻机，Intel已率先安装两台用于1.4nm工艺的研究测试。

⏱️新款光刻机通过将曝光次数从3次减少到1次，处理步骤从40多个减少到不足10个，大大节省了时间和成本，效率提升显著。

🔬ASML EXE:5000光刻机单次曝光分辨率可达8nm，晶体管密度提高2.9倍，性能飞跃。

📅Intel计划使用High-NA EUV光刻机生产14A（1.4nm）工艺产品，预计在2026年左右量产，或将应用于未来的Nova Lake、Razer Lake等产品。

快科技2月26日消息，ASML Twinscan EXE:5000 EUV是当今世界上最先进的EUV极紫外光刻机，支持High-NA也就是高孔径，Intel去年抢先拿下了第一台，目前已经在俄勒冈州Fab D1晶圆厂安装部署了两台，正在紧张地研究测试中。

Intel资深首席工程师Steve Carson透露，迄今为止，两台EUV光刻机已经生产了3万块晶圆，当然不算很多，但别忘了这只是测试和研究使用的，并非商用量产，足以证明Intel对于新光刻机是多么的重视。

Steve Carson还强调，完成同样的工作，新款光刻机可以将曝光次数从3次减少到只需1次，处理步骤也从40多个减少到不足10个，从而大大节省时间和成本。

Intel曾透露，新光刻机的可靠性是上代的大约两倍，但没有透露具体数据。

ASML EXE:5000光刻机单次曝光的分辨率可以做到8nm，比前代Low-NA光刻机的13.5nm提升了多达40％，晶体管密度也提高了2.9倍。

当然，Low-AN光刻机也能做到8nm的分辨率，但需要两次曝光，无论时间、成本还是良品率都不够划算。

全速率量产的情况下，ASML EXE:5000光刻机每小时可生产400-500块晶圆，而现在只有200块，效率提升100-150％之多。

Intel将会使用High-NA EUV光刻机生产14A也就是1.4nm级工艺产品，但具体时间和产品未定，有可能在2026年左右量产，或许用于未来的Nova Lake、Razer Lake。

将在今年下半年量产的Intel 18A 1.8nm工艺，仍旧使用现有的Low-NA EUV光刻机，对应产品包括代号Panther Lake的下代酷睿、代号Clearwater Forest的下代至强。

二者都已经全功能正常运行，并开展了客户测试。