三星电子与中国存储芯片厂商长江存储签署专利许可协议，获得其3D NAND“混合键合”专利授权，用于下一代闪存芯片（V10）的开发。该技术对三星至关重要，因为它能省去传统芯片连接所需的凸块，缩短电路，提高存储性能和散热特性，尤其在提高生产效率方面优势明显。此举引发行业热议，表明中国企业在存储技术领域取得重要突破，甚至在某些方面领先于三星，未来的竞争或将更加激烈。

🤝三星电子与长江存储签署专利许可协议，获得长江存储3D NAND“混合键合”专利授权，用于下一代（V10）闪存芯片开发，该芯片计划于今年下半年量产，堆叠层数将达到420层-430层。

💡“混合键合”技术对三星至关重要，能够省去传统芯片连接所需的凸块，缩短电路，提高存储性能和散热特性，尤其在提高生产效率方面优势明显，因为它键合的是整个晶圆而不是芯片。

🚀三星此次获取长江存储专利授权，主要用于下一代闪存芯片开发，表明中国企业在存储技术领域取得重要突破，甚至在某些方面领先于三星，获取授权是必然，未来的竞争可能会非常激烈。

中国厂商向三星授权存储关键技术专利，这一幕真是让人感叹。之前韩国媒体报道称，三星电子近日与中国存储芯片厂商长江存储签署了专利许可协议，将从后者获得3D NAND“混合键合”专利，该专利是一种将晶圆和晶圆直接键合的尖端封装技术。

这引发了外界的热议，而为什么在存储上遥遥领先的三星，要获得长江的授权呢？

有行业人士表示，由于工艺流程问题，三星难以规避中国企业的专利，获取授权是必然，未来的竞争可能会非常激烈。

三星此次获取长江存储专利授权，将主要用于下一代（V10）闪存芯片开发上，这代芯片计划于今年下半年量产，堆叠层数将达到420层-430层。

为了让V10芯片尽快量产，三星引入了多项新技术，晶圆和晶圆之间的混合键合“至关重要”。

三星之所以这么看重这项技术，是因为“混合键合”技术省去了传统芯片连接所需的凸块，缩短了电路，并提高了存储性能和散热特性，“特别是晶圆之间的混合键合，它键合的是整个晶圆而不是芯片，在提高生产效率方面也具有优势”。