据韩媒报道，三星电子与长江存储签署专利许可协议，将在其第10代NAND Flash产品中使用长江存储的“混合键合”技术。此举为三星首次采用中国存储厂商的专利技术，凸显了长江存储在混合键合技术方面的领先地位。混合键合技术对于3D NAND厂商发展400层以上堆叠至关重要。此举也标志着中国存储产业的重大突破，彰显了长江存储在3D NAND领域的技术创新实力。未来，SK海力士等厂商或也将寻求长江存储的专利许可。韩国专家调查显示，中国在多个半导体技术领域已超越韩国。

🤝 三星电子与长江存储达成专利许可协议，将在其第10代NAND Flash产品中使用长江存储的“混合键合”技术，用于开发堆叠400多层NAND Flash，这是三星历史上的首次。

🚀 长江存储在“混合键合”技术方面处于全球领先地位，三星评估后认为，其下一代V10 NAND已无法避免长江存储专利的影响，因此选择获取专利授权。混合键合技术对于发展400层以上的NAND堆叠至关重要。

🇨🇳 韩国科学技术评估与规划研究院的调查显示，中国在除先进封装以外的所有半导体技术领域的基本能力都超过了韩国，包括高性能和低功耗AI半导体、功率半导体以及下一代高性能传感技术。

快科技2月25日消息，近日，韩媒ZDNet Korea报道称，三星将使用长江存储专利技术，系历史首次。

据悉，近期三星电子已与中国存储芯片厂商长江存储签署了开发堆叠400多层NAND Flash所需的“混合键合”（Hybrid Bonding）技术的专利许可协议，以便从其第10代（V10）NAND Flash产品（430层）开始使用该专利技术来进行制造。

报道称，三星之所以选择向长江存储获取“混合键合”专利授权，主要由于目前长江存储在“混合键合”技术方面处于全球领先地位。

三星经过评估认为，从下一代V10 NAND开始，其已经无法再避免长江存储专利的影响。

对于3D NAND厂商来说，要想发展400层以上的NAND堆叠，混合键合技术已经成为了一项核心技术。

对于长江存储来说，此次向三星这样的头部存储技术大厂提供专利许可，属于是中国存储产业历史上的首次，充分凸显了长江存储在3D NAND领域的技术创新实力。

在得到了三星的认可之后，SK海力士等3D NAND厂商后续可能也将会寻求向长江存储获取“混合键合”专利许可授权。

值得一提是，根据韩国科学技术评估与规划研究院 （KISTEP）于2月23日发布的“三个改变游戏规则领域的技术水平深度分析”简报，39名国内半导体专家进行的调查显示，中国在除先进封装以外的所有半导体技术领域的基本能力都超过了韩国。

目前，中国在各个领域的基本能力方面都优于韩国，包括高性能和低功耗AI半导体，韩国得分为84.1%，中国为88.3%；功率半导体，韩国为67.5%，中国为79.8%；以及下一代高性能传感技术，韩国为81.3%，中国为83.9%。

只有在先进半导体封装技术方面，韩国和中国并列为74.2%。

一项评估半导体行业技术生命周期的综合调查还发现，韩国仅在加工和大规模生产方面处于领先地位，而中国在基础和核心技术以及设计方面占据优势。