三星近日与长江存储达成3D NAND混合键合专利许可协议，将在下一代V10 NAND中使用长江存储的“晶栈（Xtacking）”技术。三星计划在2025年下半年量产V10 NAND，堆叠层数将达到420至430层。由于层数超过400层时底层外围电路压力增大，三星决定引入W2W混合键合技术以提高芯片可靠性、性能和散热能力。长江存储早在四年前就率先应用该技术并建立了完善的专利布局。业内人士指出，三星几乎无法绕开长江存储的专利，因此选择专利授权以降低风险，加速研发。SK海力士也在开发类似技术，未来可能也需与长江存储达成协议。

🤝三星与长江存储签署3D NAND混合键合专利许可协议，标志着三星将在其下一代V10 NAND产品中使用长江存储的“晶栈（Xtacking）”技术。

🚀三星计划于2025年下半年量产下一代V10 NAND，该产品堆叠层数预计将达到420至430层，这将显著增加底层外围电路的压力，影响芯片的可靠性。

💡为了应对高层数带来的挑战，三星将在V10 NAND中引入W2W混合键合技术。该技术通过直接贴合两片晶圆，无需传统凸点连接，从而缩短电气路径，提高性能与散热能力，同时优化生产效率。

🔒长江存储早在四年前就率先将混合键合技术应用于3D NAND制造，并命名为“晶栈（Xtacking）”，同时建立了完善的专利布局。业内人士指出，三星几乎无法绕开长江存储的专利布局。

快科技2月24日消息，据韩国媒体报道，三星近日与长江存储签署了3D NAND混合键合专利许可协议，从第10代V-NAND（V10）开始，将使用长江存储的专利技术，特别是在“混合键合”技术方面。

三星计划在2025年下半年量产下一代V10 NAND，预计堆叠层数将达到420至430层，当层数超过400层时，底层外围电路的压力会显著增加，影响芯片的可靠性。

为了解决这一问题，三星决定在V10 NAND中引入W2W混合键合技术，该技术通过直接将两片晶圆贴合，无需传统凸点连接，从而缩短电气路径，提高性能与散热能力，同时优化生产效率。

而早在四年前，长江存储就率先将混合键合技术应用于3D NAND制造，并命名为“晶栈（Xtacking）”，同时建立了完善的专利布局。

业内人士指出，目前掌握3D NAND混合键合关键专利的公司包括美国Xperi、中国长江存储和中国台湾台积电，三星几乎无法绕开长江存储的专利布局。

因此三星最终选择通过专利授权方式达成协议，而非尝试规避专利，以降低未来潜在的法律和市场风险，并加快技术研发进度。

此外除了三星，SK海力士也在开发用于400层以上NAND产品的混合键合技术，未来可能同样需要与长江存储达成专利授权协议。

业内人士认为，未来三星在V10、V11、V12等后续NAND产品的开发过程中，仍可能需要继续借助长江存储的专利技术。

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责任编辑：黑白

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