据报道，三星可能在其下一代V10 NAND闪存中使用中国长江存储的混合键合专利技术。此举源于存储行业激烈的竞争和NAND技术的不断进步。三星计划于2025年下半年开始大规模生产V10 NAND，预计将达到420至430层。由于层数超过400层后，三星原有的COP技术面临可靠性问题，因此需要寻求替代方案。据悉，三星和SK海力士正在与长江存储协商专利协议，以应对日益增长的技术挑战。

💡三星计划在其V10（第10代）NAND闪存中使用长江存储的混合键合专利技术，预计2025年下半年开始量产，层数将达到420至430层。

⚙️长江存储率先在闪存中使用了晶栈 Xtacking 技术，该技术可在一片晶圆上独立加工负责数据 I/O 及记忆单元操作的外围电路，从而提高I/O接口速度和操作功能。

🔒三星之前采用的COP（Cell on Peripheral）技术，在层数超过400层后，对下层外围电路的压力增大，影响可靠性，因此需要寻求替代方案，而长江存储在该领域拥有强大的专利组合。

IT之家 2 月 24 日消息，随着存储行业的激烈竞争，推动 NAND 技术不断进步，一个令人惊讶的消息出现了：

据韩媒 ZDNet 今日报道，三星可能将使用中国长江存储的混合键合专利，从其 V10（第 10 代）NAND 开始。

报道称，三星计划于 2025 年下半年开始大规模生产其 V10 NAND，该产品预计将具有约 420 至 430 层。

报道还提到，三星和 SK 海力士据说正在与长江存储协商一项专利协议。

IT之家注：长江存储已率先在闪存中使用了晶栈 Xtacking 技术，该技术可在一片晶圆上独立加工负责数据 I/O 及记忆单元操作的外围电路。这样的加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺，以让 NAND 获取更高的 I/O 接口速度及更多的操作功能。

报道称，大约四年前，长江存储在该领域建立了强大的专利组合。而三星之前在 NAND 生产中使用了 COP（Cell on Peripheral）技术，其中外围电路放置在一个晶圆上，而单元堆叠在其上方。然而，随着层数超过 400 层，对下层外围的压力增大会影响可靠性，因此需要采取替代方案。

知情人士表示，美国 Xperi、长江存储和台积电拥有大多数混合键合专利。三星认为在下一代 NAND 如 V10、V11 和 V12 中很难绕过现有专利，因此选择与长江存储合作。