三星电子半导体部门负责人亲自前往英伟达总部，展示了最新改良的1b DRAM样品，以解决良品率和过热问题。此前，英伟达曾要求三星改进设计。三星原本计划跳过1b DRAM，直接使用1c DRAM制造HBM4，但英伟达坚持使用1b DRAM，三星不得不调整计划。目前，SK海力士已向英伟达供应12层HBM3E，美光也预计近期开始生产HBM。三星表示改良版HBM3E准备顺利，计划今年第二季度量产供货，全永鉉主导了1b DRAM的设计改进。

🤝三星电子高管亲自前往英伟达总部，展示改良后的1b DRAM样品，表明三星对满足英伟达需求的重视程度，以及双方合作关系的重要性。

🌡️英伟达曾指出三星1b DRAM存在良品率和过热问题，三星此次改良样品旨在解决这些问题，以满足英伟达对高性能存储的需求。

📈尽管三星最初计划跳过1b DRAM，但最终还是根据英伟达的要求进行了调整，反映了英伟达在HBM市场上的影响力，以及三星对该市场的重视。

🚀三星计划在今年第二季度正式量产供货改良版HBM3E，表明三星在HBM领域的竞争正在加速，并试图追赶SK海力士和美光等竞争对手。

快科技2月18日消息，据韩国媒体报道，三星电子半导体部门（DS）负责人全永鉉（Young Hyun Jun）上周亲自前往美国英伟达总部，展示了三星最新改良的1b DRAM样品。

英伟达曾在2024年要求三星改进1b DRAM的设计，以解决良品率和过热问题，此次全永鉉展示的样品正是基于英伟达的要求而进行的改良成果。

通常情况下，三星DS部门负责人亲自向客户展示样品的情况较为罕见，这也表明此次访问的重要性。

三星原本计划使用1a DRAM（1b DRAM的前代产品）制造8层和12层HBM3E，并跳过1b DRAM直接使用1c DRAM制造HBM4。

然而英伟达坚持要求使用1b DRAM，三星不得不重新调整计划，目前三星的竞争对手SK海力士已经向英伟达供应了12层HBM3E，美光也预计近期开始生产面向AI加速器的HBM。

上个月，三星表示其改良版HBM3E的准备工作进展顺利，并计划于今年第二季度正式量产供货，全永鉉作为DRAM领域的专家，主导了1b DRAM的设计改进工作。