韩国媒体报道，长鑫存储正加速下一代DRAM技术研发，跳过原计划的17nm，直接采用16nm制程生产首款商用DDR5产品。15nm制程技术也在积极开发中，目标2025年完成，最快2026年下半年实现商业化。此前，长鑫存储主要生产17-18nm制程的DDR4、LPDDR4X等产品。2024年11月发布LPDDR5，2025年初实现DDR5商业化。尽管面临美国对先进半导体制造设备出口限制，长鑫存储仍有信心利用现有设备开发和量产下一代制程，其技术开发速度超出预期。

🚀长鑫存储加速DRAM技术研发，首款商用DDR5产品直接采用16nm制程，展现了其在技术上的自信和实力。

⏱️长鑫存储计划在2025年内完成15nm制程技术的开发，并力争在2026年下半年实现商业化，目标明确，时间紧迫。

🚧尽管受到美国对先进半导体制造设备出口限制的影响，长鑫存储仍致力于利用现有设备开发和量产下一代制程，体现了其克服困难的决心和创新能力。

快科技2月12日消息，据韩国媒体报道，长鑫存储（CXMT）正在加速开发下一代DRAM技术，其并未按原计划为首款商用DDR5产品采用的17nm，而是直接采用了16nm制程技术。

下一代15nm制程技术也在现有制程基础上进行开发中，目标是在2025年内开发出该技术，并最快在2026年下半年就能达成商业化的目标。

长鑫存储此前主要生产采用17-18nm制程的DDR4、LPDDR4X等成熟产品，2024年11月，该公司首次发布了LPDDR5产品，并在2025年稍早成功实现了DDR5的商业化目标。

长鑫存储对此次DDR5采用的制程技术一直充满信心，如今事实证明，其下一代制程开发速度比原计划更快。

研究机构TechInsights表示，长鑫存储在完成17nm制程技术开发后，紧接着完成了16nm制程技术的开发，因此首款商用DDR5产品采用了16nm制程技术。

此外，长鑫存储原计划发展15nm制程技术，但受美国加强先进半导体制造设备出口限制影响，无法引进EUV先进制造设备，导致计划暂时放缓。

不过随着技术开发的成熟，预计长鑫存储利用现有设备也足以开发和量产下一代制程，毕竟美光的13nm DRAM制程技术也没有采用使用EUV。

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责任编辑：黑白

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