英睿达E100系列固态硬盘正式上市，首发价279元。该系列采用M.2 2280规格，搭载慧荣SM2268XT主控和美光原厂G7 NAND闪存颗粒，提供高达5000MB/s的顺序读取速度和4500MB/s的顺序写入速度。E100系列集成多层数据完整性算法、动态写入加速、断电保护等技术，确保数据安全与系统稳定。慧荣SM2268XT主控率先支持3200MT/s闪存，采用台积电12nm工艺，支持NVMe 2.0协议和四个PCIe 4.0通道，兼容TLC与QLC NAND，并引入HMB功能和NANDXtend ECC等技术。

🚀 **高速读写性能**：英睿达E100系列固态硬盘采用慧荣SM2268XT主控和美光G7 NAND闪存，顺序读取速度高达5000MB/s，顺序写入速度达到4500MB/s，满足用户对高速存储的需求。

🛡️ **多重数据保护**：E100系列集成多层数据完整性算法、动态写入加速、集成式断电保护机制、TRIM支持、设备睡眠模式、自适应热保护、活跃垃圾收集机制、ECC纠错码以及SMART自检测报告技术，全方位保护数据安全。

💡 **先进主控技术**：慧荣SM2268XT主控率先支持3200MT/s闪存，采用台积电12nm工艺，专为无DRAM的SSD应用优化，内置双核Cortex-R8 CPU，支持NVMe 2.0协议和四个PCIe 4.0通道，兼容TLC与QLC NAND闪存芯片。

快科技2月11日消息，英睿达E100系列固态硬盘目前已经上市，首发279元。

据悉，E100系列SSD采用紧凑的M.2 2280规格设计，核心搭载了慧荣科技前沿的SM2268XT主控芯片。此款主控携手美光原厂高品质的G7 NAND闪存颗粒，共同铸就了令人瞩目的数据传输速度——最大顺序读取速度高达5000MB/s，最大顺序写入速度亦达到4500MB/s，充分满足用户对高速存储的迫切需求。

不仅如此，E100系列还集成了一系列尖端技术，以全方位应对各种存储挑战。它配备了多层数据完整性算法，确保数据准确无误；动态写入加速技术进一步提升写入效率；集成式断电保护机制有效防止数据丢失；同时，TRIM支持、设备睡眠模式、自适应热保护、活跃垃圾收集机制、ECC纠错码以及SMART自检测报告技术等多项功能，共同为用户的数据安全与系统稳定性保驾护航。

值得一提的是，慧荣科技的SM2268XT主控作为业界先驱，率先支持3200MT/s闪存，采用先进的台积电12nm工艺精心打造，专为无DRAM的SSD应用量身优化。其内置双核Cortex-R8 CPU，全面支持NVMe 2.0协议，并配备四个PCIe 4.0 16GT/s数据流通道，广泛兼容TLC与QLC NAND闪存芯片，展现出卓越的兼容性与扩展性。

此外，该系列SSD还引入了新一代系统架构与主机内存缓冲器（HMB）功能，结合NANDXtend ECC和LDPC等先进技术，实现错误的快速解码与修正。