日本Rapidus公司计划在其两个尖端半导体生产基地安装十台极紫外（EUV）曝光工具，此举旨在加强日本在半导体产业的竞争力，并追赶台积电等领先企业。首个2纳米级工艺节点将于2027年在IIM-1工厂投入使用，该工厂已于去年12月接收首台ASML NXE:3800E EUV光刻机。Rapidus将在IIM-1和IIM-2工厂部署这批新购入的EUV设备。预计2025年4月左右开始试运行，并计划今年年中向美国博通公司交付首批样品。

🏭 日本Rapidus将在两处半导体基地部署十台EUV光刻机，加速2纳米制程发展。

⚙️ 首台ASML NXE:3800E光刻机已于去年12月抵达日本，标志着日本首次采用该技术。

📅 Rapidus计划2025年4月左右开始试运行，并于今年年中向美国博通公司提供首批样品。

日本Nikkan Kogyo Shimbun（日刊工业新闻）报道说，Rapidus 将在两个尖端半导体生产基地安装总共十台 "极紫外（EUV）曝光工具"。这意味着日本政府推动半导体产业的力度再度加强，目标是让 Rapidus 赶超台积电等公司。

其 2 nm 级工艺节点将于 2027 年在目前正在建设中的 "创新集成制造一号"（IIM-1）工厂投入运行。 去年 12 月日本迎来了第一台 ASML NXE:3800E EUV 光刻机，这标志着该技术在日本的首次部署。 

《日刊工业新闻》的报道援引了 Rapidus 首席执行官小池淳义的讲话，根据这位老板的说法，10 台新机器将分布在两个制造工厂：上述的 IIM-1 和 IIM-2。 第二个工厂预计将在 IIM-1 建成后不久投入使用。 

目前尚不清楚代工厂是否会安装更多的 ASML NXE:3800E 光刻机，也没有透露确切的时间框架。 《日经新闻》的一篇较早的文章指出，将于 4 月（2025 年）左右在 Rapidus 的晶圆厂开始试运行，采用 2 纳米一代全栅极 (GAA) 技术。 根据推测的时间表，首批样品将于今年年中运往美国博通公司（Broadcom）。