近日，有报道称三星电子因12nm级DRAM良率和性能问题，计划重新设计其第五代10nm级DRAM（1b DRAM）。然而，三星官方对此予以否认，称报道不准确。尽管如此，业内人士透露，三星正致力于提升1b DRAM的性能和良率，并已启动名为“D1b-p”的开发项目，重点关注电源效率和散热性能。市场竞争激烈，SK海力士和美光已在HBM中采用1b DRAM，并在技术上有所领先。三星面临着来自竞争对手的压力，并努力追赶技术差距，尽管否认了重新设计，但三星的行动暗示着其在DRAM领域的积极变革。

📰三星否认重设计1b DRAM：针对此前关于三星因12nm DRAM良率和性能问题而重新设计1b DRAM的报道，三星电子官方予以否认，强调相关报道不准确。

🚀三星启动“D1b-p”项目：尽管否认重新设计，三星正积极推进“D1b-p”项目，旨在提升DRAM业务的竞争力，重点关注提高电源效率和散热性能，并计划在2025年实现量产。

⚔️市场竞争加剧：在DRAM市场，三星面临来自SK海力士和美光的激烈竞争，这两家公司已成功商业化1b DRAM，并在HBM中采用，SK海力士甚至率先完成1c DRAM的开发，三星在技术上略显落后。

📱三星面临供应链挑战：由于1b LPDDR5X的良率和散热问题，美光将成为三星Galaxy S25系列智能手机的主要移动DRAM供应商，这突显了三星在技术和供应链上的挑战。

IT之家 1 月 22 日消息，消息源 DigiTimes 今天（1 月 22 日）发布博文，报道称三星电子否认了关于重新设计其第五代 10nm 级 DRAM（1b DRAM）的报道。

IT之家昨日援引 ETNews 报道，三星电子内部为应对其 12nm 级 DRAM 内存产品面临的良率和性能双重困局，已在 2024 年底决定在改进现有 1b nm 工艺的同时从头设计新版 1b nm DRAM。

市场观察人士认为，三星修改 1b DRAM 设计的决定源于竞争压力。SK 海力士和美光已在 HBM 中采用 1b DRAM，而三星仍在使用之前的 1a DRAM。

此外，据报道，三星启动了名为“D1b-p”的开发项目，旨在提高其 DRAM 业务的竞争力，“p”代表“prime”，象征着卓越的品质，该项目重点关注提高电源效率和散热性能。

尽管三星是全球 DRAM 领域的领导者，但目前正面临来自 SK 海力士和美光的挑战。这两家公司都已成功商业化 1b DRAM，SK 海力士甚至在 2024 年 8 月率先完成了 1c DRAM 的开发。

有消息称，三星 Galaxy S25 系列智能手机即将发布，美光将成为其主要的移动 DRAM (LPDDR5) 供应商。这被认为是由于三星尚未完全解决 1b LPDDR5X 的良率和散热问题。

三星通过该媒体予以否认，称相关报道不准确。此次事件引发了业界广泛关注，凸显了存储芯片市场竞争的激烈程度。

尽管三星否认了重新设计的报道，但业内人士透露，三星的目标是提升 1b DRAM 的性能和良率。据称，重新设计涉及工艺调整，成本高昂且复杂，三星已紧急订购设备，计划在 2024 年底前完成安装和测试，更新后的 1b DRAM 预计将于 2025 年第二或第三季度量产。