随着生成式AI技术发展，中国内存市场影响力持续攀升。长鑫存储正通过技术进步与市场拓展，逐步缩小与全球领先企业的差距。预计2024年长鑫存储将占全球DRAM总产能13%，尽管目前仍面临技术和良率挑战，但差距有望逐渐缩小。长鑫存储还在大力推进HBM高带宽内存，一代HBM产能提升，二代HBM2已取得突破，预计年中可小规模量产。中国内存产业的崛起可能改变全球市场格局，尤其是在中低阶市场。

📈 中国内存市场影响力提升：受益于生成式AI技术的发展，中国内存市场在全球的影响力持续攀升，未来增长潜力巨大。

🔬 长鑫存储缩小差距：尽管面临技术瓶颈和美国法规的挑战，长鑫存储正通过技术进步与市场拓展，逐步缩小与全球领先企业的差距，预计2024年将占全球DRAM总产能13%。

🚀 HBM高带宽内存取得突破：长鑫存储在HBM高带宽内存方面取得重大进展，一代HBM产能提升，二代HBM2已取得突破，预计年中可小规模量产。

⚡️ 技术瓶颈仍需突破：长鑫存储仍需成功实现高介电金属闸极（HKMG）晶体管，以改善功耗和速度，并缩小与竞争对手在产量上的差距。

快科技1月17日消息，据媒体报道，随着生成式AI技术的发展，中国在内存市场的影响力持续攀升，未来增长潜力巨大。

调研机构Counterpoint Research近日报告显示，尽管仍面临技术瓶颈和美国法规的挑战，中国内存制造商长鑫存储（CXMT）正通过技术进步与市场拓展，逐步缩小与全球领先企业的差距。

Counterpoint Research表示，长鑫存储将在2024年占全球DRAM总产能13%，出货量占比约6%，营收占比约3.7%，并预计在2025年产能将接近美光。

目前长鑫存储产量和营收较低，主要原因是技术落后、良率低以及定价问题，但这一差距有望逐渐缩小，2024年，长鑫存储每片晶圆的产量比竞争者少42%，预计到2025年将缩小至 32%。

不过Counterpoint Research也指出，长鑫存储需要成功实现高介电金属闸极（HKMG）晶体管，以改善功耗和速度。

Counterpoint Research研究总监MS Hwang指出，中国内存产业的崛起可能改变全球市场格局，尽管目前技术与良率方面仍存挑战，但随着生成式AI与电车等新兴应用带来的需求增长，中国有望在中低阶市场建立稳固地位。

此外，长鑫还在大力推进HBM高带宽内存，一方面提升一代HBM的产能，另一方面二代HBM2已经取得重大突破，正在给客户送样，预计年中可小规模量产。