英诺赛科及其子公司英诺苏州半导体，因两项氮化镓(GaN)相关专利侵权，正式起诉英飞凌科技（中国）有限公司、英飞凌科技（无锡）有限公司以及苏州芯沃科电子科技有限公司。涉案专利分别涉及氮化镓功率器件及其制备方法，以及氮化物基半导体器件及其制造方法。英诺赛科认为，英飞凌及其关联公司在中国市场销售的氮化镓半导体器件侵犯了其专利权，构成侵权行为，要求被告停止侵权并承担赔偿责任。此案已由江苏省苏州市中级人民法院受理。

🛡️英诺赛科起诉英飞凌侵犯其两项氮化镓相关专利，专利号分别为202311774650.7和202211387983.X。

🔬涉案专利技术核心为氮化镓功率器件及其制备方法，以及氮化物基半导体器件及其制造方法。

🏢英飞凌科技（中国）有限公司作为进口商和总经销商，英飞凌科技（无锡）有限公司作为网站备案主体，苏州芯沃科电子科技有限公司作为增值分销商，均被列为被告。

⚖️英诺赛科认为英飞凌等三被告未经许可，在中国市场实施了许诺销售、销售、进口涉案侵权产品的行为，构成专利侵权，并要求承担法律责任。

【英诺赛科起诉英飞凌科技】财联社1月16日电，英诺赛科公告，公司及公司全资附属公司英诺赛科（苏州）半导体有限公司（统称原告）已向中国江苏省苏州市中级人民法院起诉英飞凌科技（中国）有限公司（被告一）、英飞凌科技（无锡）有限公司（被告二）及苏州芯沃科电子科技有限公司（被告三），就202311774650.7号专利提交起诉状《(2024)苏05民初1430号》及就202211387983.X号专利提交起诉状《(2024)苏05民初1431号》。英诺苏州为202311774650.7号及202211387983.X号专利的专利权人，公司已就涉案专利获得英诺苏州许可。涉案专利分别涉及一种氮化镓(GaN)功率器件及其制备方法，以及一种氮化物基半导体器件及其制造方法。根据起诉状，被告二是被告一的全资控股子公司，并为英飞凌中文网站的备案主体。该网站向中国的潜在客户展示、宣传及许诺销售多种型号的氮化镓(GaN)半导体器件；被告一是涉案侵权产品的进口商和总经销商；根据英飞凌中文网站，被告三是被告一、被告二于中国的增值分销商。经技术比对，原告认为涉案侵权产品落入涉案专利的保护范围，三被告未经原告允许实施了许诺销售、销售、进口涉案侵权产品的行为，构成对涉案专利的侵害，依法应当承担相应的法律责任，包括停止侵权行为及承担赔偿责任。