英诺赛科(02577.HK)股价一度大涨超10%，创上市新高。作为专注于第三代半导体氮化镓芯片研发与制造的高新技术企业，英诺赛科拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地，并率先实现8英寸硅基氮化镓晶圆量产。公司在技术上取得重大突破，使晶圆晶粒产出大幅增长，成本显著降低，良率高于行业平均水平。2023年，公司以33.7%的市场份额位居全球氮化镓功率半导体公司之首，目前氮化镓晶圆总产能已达每月12500片，累计出货量超8.5亿颗。

🏭 英诺赛科是全球首家量产8英寸硅基氮化镓晶圆的企业，也是目前全球唯一具备产业规模提供全电压谱系硅基氮化镓半导体产品的公司。

💡 公司在8英寸硅基氮化镓核心技术和关键工艺领域取得重大突破，使得晶圆晶粒产出数增长80%，单一器件成本降低30%，产品良率高于95%，远超行业平均水平。

🏆 以收入计，英诺赛科2023年市场份额高达33.7%，在全球氮化镓功率半导体公司中排名第一，其技术和市场领先地位显著。

📈 截至2024年6月30日，英诺赛科氮化镓晶圆总产能已达每月12500片，累计出货量超过8.5亿颗，表明其强大的生产能力和市场需求。

英诺赛科 (02577.HK) 一度涨超10%，高见36.75港元创上市新高。截至发稿，涨6.80%，报35.35港元，成交额1291.81万港元。

公开资料显示，英诺赛科是一家专注于第三代半导体氮化镓芯片研发与制造的高新技术企业。公司拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地，是全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的企业，也是目前全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司。截至2024年6月30日，英诺赛科在全球有319项专利及430项专利申请，涵盖芯片设计、器件结构、晶圆制造、封装及可靠性测试等关键领域。

此外，公司在8英寸硅基氮化镓核心技术和关键工艺领域实现了重大突破，使晶圆晶粒产出数增长80%，单一器件成本降低30%，同时产品良率高于95%，高于行业平均水平。以收入计，2023年，公司市场份额高达33.7%，在全球氮化镓功率半导体公司中排名榜首。截至2024年6月30日，公司氮化镓晶圆总产能已经达到每月12500片晶圆，累计出货量超过8.5亿颗。

编辑/Rocky