Cnbeta 01月08日
群联展示 6nm E28 NVMe Gen 5 控制器
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CES 2025上,群联推出了新的E28系列SSD控制器,采用更先进的台积电6nm工艺,显著降低了成本并提升了性能,连续读取速度高达14.5GB/s。同时,群联还展示了中档无DRAM控制器E31T对美光G9系列NAND闪存的支持,以及一款读取速度高达11GB/s的Crucial P510 SSD。此外,一款企业级Pascari D205V SSD也亮相,其最大容量高达122.88TB,连续读取速度高达14.6GB/s,专为云存储数据中心应用优化。

🚀 **群联E28控制器**: 采用台积电6nm工艺,降低成本并提升性能,连续读取速度达14.5GB/s,推动高端NVMe Gen 5 SSD普及。

💾 **美光G9闪存与E31T**: 群联中档无DRAM控制器E31T支持美光新G9系列NAND闪存,展示了Crucial P510 SSD,读取速度高达11GB/s,写入速度达8.6GB/s。

🏢 **企业级Pascari D205V**: 2.5英寸U.2 Gen 5 x4接口,最大容量高达122.88TB,连续读取速度高达14.6GB/s,专为云存储数据中心应用优化,随机读取性能达300万IOPS。

在 CES 2025 上,我们发现了将推动高端 NVMe Gen 5 SSD 普及的 SSD 控制器。到目前为止,高端 Gen 5 SSD 由 Phison(群联) 的 E26 系列控制器驱动,该控制器基于台积电的 12 nm 工艺制造。该公司周一推出了新的 E28 系列控制器(全名 PS5028-E28)。该芯片基于更先进的台积电 6 nm 工艺制造。新工艺使 Phison 能够显着降低其 NAND 闪存接口串行器-解串器的电气成本,并将性能提升到更接近 PCI-Express 5.0 x4 接口极限。

该控制器提供 14.5 GB/s 的连续速度,比去年的 E26 Max14um 版本有所提高。该公司展示了裸露的 E28 控制器芯片和基于它的参考设计 SSD。除了驱动器缺乏任何冷却解决方案外,没有太多可报告的内容。采用 E28 的量产 SSD 仍需要散热器来实现最佳性能,尽管它们的运行温度不会像采用 E26 的驱动器那样高。该公司没有为这款驱动器提供任何性能演示设备。

在 CES 上,Phison 还宣布其中档 NVMe Gen 5 无 DRAM 控制器 E31T 获得了对美光新 G9 系列 NAND 闪存的支持。Phison 展示了一款未发布的 Crucial P510 SSD,它将 G9 闪存与 E31T 的最新版本相结合,并具有相当薄的被动冷却解决方案。为这款驱动器设置了一个演示站,展示了它的读取速度为 11 GB/s,写入速度为 8.6 GB/s,以及使用 QD32 的 4K 随机访问读取速度为 5.9 GB/s。


最后,我们看到了 Pascari D205V,这是一款带有 U.2 Gen 5 x4 接口的 2.5 英寸企业级 SSD。该驱动器的最大容量高达 122.88 TB,这是使用 QLC NAND 闪存实现的。在性能方面,您会看到连续读取速度高达 14.6 GB/s,连续写入速度高达 3.2 GB/s;4K 随机读取高达 300 万 IOPS,4K 随机写入高达 35,000 IOPS。因此,该驱动器针对具有温热数据的云存储数据中心应用进行了优化。


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