三星正加速HBM4的研发与量产，已完成逻辑芯片开发并启动4nm试生产，预计2025年下半年量产。为争取英伟达等关键客户订单，三星将HBM4的量产计划提前约半年。HBM4性能大幅提升，数据传输速率高达2TB/s，较HBM3E快约66%，同时容量也提升约33%。三星还与台积电合作开发HBM4，并计划在内存芯片中集成AI计算能力，采用PIM技术以减轻数据传输负担。这些举措都表明三星在AI芯片市场的野心。

🚀三星已启动HBM4的4nm试生产，并提前半年加速量产计划，目标锁定英伟达等关键客户。

📈HBM4性能显著提升，数据传输速率高达2TB/s，接口速度达6.4GT/s，最大容量提升至48GB，远超HBM3E。

🤝三星与台积电首次在AI芯片领域合作，共同开发HBM4，旨在满足不断增长的AI算力需求。

💡三星计划采用PIM技术，将计算能力集成到内存芯片中，以减轻数据传输负担，提高整体效率。

上个月有报道称，三星选择在其平泽P4工厂建设1cnm工艺的DRAM生产线，已开始向Lam Research等合作伙伴订购设备，为HBM4的量产铺平道路。1cnm属于第六代10nm级别工艺，电路线宽约为11-12nm，预计今年进入商业化生产，三星打算用于生产HBM4的DRAM芯片。

据Notebookcheck报道，三星已完成了HBM4的逻辑芯片开发工作，并启动了4nm试生产工作（用于HBM4的基础裸片），标志着向2025年下半年量产迈出了一大步。过去一段时间里，三星明显加快了HBM4的开发步伐，比原计划提前了大约半年，以便争取英伟达这类关键客户的订单，预计将用于下一代Rubin架构GPU，预计2026年上市。除了英伟达外，三星还将目光投向了微软和Meta的新一代定制芯片。

此前三星在ISSCC 2024上分享了一些技术细节，显示HBM4将提供巨大的性能提升，数据传输速率高达2TB/s，比HBM3E快了约66%。同时还将支持6.4GT/s的接口运行速度，接口位宽为2048位，最大提供48GB容量也比当前一代产品提升了约33%。三星还与台积电达成协议，共同开发HBM4，这也是双方首次在人工智能（AI）芯片领域展开合作。

除了HBM4定制化工作外，三星还将重点转向集成AI计算能力和特定数据处理功能，以满足不断变化的需求。传闻三星可能选择转向PIM技术，使内存芯片本身可以执行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。这种做法可以将处理操作转移到HBM本身，从而减轻了内存与一般处理器之间转移数据的负担。