韩国中小型半导体企业正积极配合英伟达和台积电的下一代技术引进，特别是为英伟达计划于2025年推出的B300 AI芯片做准备。这款芯片采用Blackwell架构，性能强大，需要新的材料和设备支持。B300预计将配备12层堆叠的HBM3E内存，并以板载形式生产，整合高性能GPU、HBM和其他芯片。由于采用新的基板生产模式，旧的连接界面会带来性能问题，GPU和载板之间的稳定连接成为关键挑战。韩国和中国台湾的后端制程组件公司正在提供新的连接介面产品测试。台积电也在升级CoWoS先进封装技术，以适应最新的HBM产品，并采用原子显微镜进行更精确的电路测量。

🚀 韩国中小企业紧随英伟达和台积电，积极投入下一代AI芯片量产准备，特别是针对英伟达2025年发布的B300芯片。

💡 英伟达B300芯片将采用Blackwell架构，配备12层堆叠HBM3E内存，并以板载形式生产，整合高性能GPU、HBM等组件，对材料和连接技术提出更高要求。

⛓️ 新的基板生产模式带来挑战，旧连接界面效能受限，GPU与载板间稳定连接成为关键，促使后端制程组件公司开发新连接介面。

🔬 台积电升级CoWoS先进封装技术，采用更小中介层CoWoS-L，并引入原子显微镜进行更精确的电路测量，以应对布线宽度减至1微米带来的挑战。

快科技1月1日消息，据媒体报道，韩国的中小型半导体企业开始跟随着英伟达、台积电的脚步，进行下一代产品量产的发展与生产。

ZDNet Korea报道称，韩国中小型制造业正在配合英伟达和台积电下一代技术的引进，特别是在英伟达计划于2025年正式发表的下一代B300 AI芯片。

这款芯片将是英伟达Blackwell架构旗下效能最高的产品，需要新的材料与设备来配合，促使韩国中小半导体企业开始紧盯进度。

英伟达B300 AI芯片预计将配备12层堆叠的HBM3E内存，并以板载形式生产，整合高性能GPU、HBM和其他芯片。

这一变化意味着，如果新的AI芯片改用基板生产模式，旧型的连接界面将会带来效能问题，因此GPU和载板之间的稳定连接被认为是需要克服的瓶颈。

连接介面主要由韩国和中国台湾的后端制程组件公司供应，这些公司从2024年第四季度起提供新的连接介面产品测试。

台积电也正在升级CoWoS先进封装，CoWoS将半导体芯片水平放置在基板的硅中介层上，台积电用更小中介层CoWoS-L于最新HBM产品。

CoWoS电路测量采用3D光学检测，布线宽度减至1微米时，性能限制使测量困难，台积电制定将AFM（原子显微镜）用于CoWoS。