台积电在IEDM会议上公布了其2纳米（N2）制程技术的更多细节，该技术采用纳米片晶体管，相较于前代制程，性能提升15%，功耗降低高达30%，能效显著提升。同时，晶体管密度提高了1.15倍，这得益于环绕式栅极（GAA）纳米片晶体管和N2 NanoFlex技术的应用，允许在更小面积内集成不同逻辑单元。N2制程通过采用堆叠的窄硅带结构，实现了更精确的电流控制。尽管性能提升显著，但N2制程晶圆的价格也比3纳米制程高出10%以上，初期产量也受到限制。

🚀性能提升：台积电N2制程相较前代，性能提升15%，功耗降低高达30%，能效显著提升。

💡技术创新：采用环绕式栅极（GAA）纳米片晶体管和N2 NanoFlex技术，晶体管密度提高1.15倍，允许在更小面积内集成不同逻辑单元。

💰成本增加：N2制程晶圆价格比3纳米制程高出10%以上，初期产量受限，普及速度可能较慢。

IT之家 12 月 17 日消息，在于旧金山举行的 IEEE 国际电子器件会议 (IEDM) 上，全球晶圆代工巨头台积电公布了其备受瞩目的 2 纳米（N2）制程技术的更多细节，展示了该技术在性能、功耗和晶体管密度方面的显著进步。

IT之家注意到，台积电在会上重点介绍了其 2 纳米“纳米片（nanosheets）”技术。据介绍，相较于前代制程，N2 制程在性能上提升了 15%，功耗降低了高达 30%，能效显著提升。此外，得益于环绕式栅极（GAA）纳米片晶体管和 N2 NanoFlex 技术的应用，晶体管密度也提高了 1.15 倍。N2 NanoFlex 技术允许制造商在最小的面积内集成不同的逻辑单元，进一步优化了制程的性能。

通过从传统的 FinFET（鳍式场效应晶体管）技术过渡到专用的 N2“纳米片”技术，台积电实现了对电流更有效的控制，使得制造商能够根据不同的应用场景微调参数。纳米片技术采用堆叠的窄硅带结构，每条硅带都被栅极包围，相比 FinFET 技术，能够实现更精确的电流控制。

与 3 纳米及其衍生制程相比，台积电的 N2 制程在性能上实现了显著的提升。鉴于其明显的代际改进，预计包括苹果和英伟达在内的行业巨头将大规模采用该制程。然而，伴随性能提升的，是晶圆价格的上涨。据悉，N2 制程晶圆的价格将比 3 纳米制程高出 10% 以上。

据估计，一片 N2 晶圆的价格可能在 2.5 万至 3 万美元之间，具体价格将取决于台积电的最终定价。相比之下，3 纳米晶圆的价格约为 2 万美元。考虑到初期良率和试生产等因素，N2 制程的初期产量将受到限制，意味着其普及速度在初期可能会相对缓慢。