据韩媒报道，三星电子高管透露，其第2代3nm GAA工艺已进入稳定阶段。此前，Exynos 2500芯片的研发因3纳米制程良率低下及性能落后于高通骁龙而受阻，导致移动AP业务陷入危机。现在，三星已解决3纳米良率问题，为Exynos 2500的应用铺平道路。尽管初期产量不足以支持Galaxy S25系列，但预计将搭载于Z Flip系列。晶圆代工事业部和系统LSI事业部已结束互相推诿，转而合作推进新芯片商用。

🚀三星电子的第2代3nm GAA工艺已进入稳定阶段，解决了之前良率低下的问题，为Exynos 2500芯片的应用铺平了道路。

🤝晶圆代工事业部和系统LSI事业部已达成协议，结束了互相推诿责任的局面，双方将加强合作以稳定工艺，并推进新芯片的商用。

📱尽管初期产量不足以支持Galaxy S25系列，但三星计划将Exynos 2500芯片搭载于Z Flip系列手机，如Galaxy Z Flip7和Galaxy Z Flip FE。

💡Exynos 2500芯片采用了全环绕晶体管（GAA）技术，虽然在量产方面遇到了一些困难，但目前工艺已经稳定，开始量产只是时间问题。

📈三星在3nm工艺上的突破，将有助于提升其在移动AP市场的竞争力，并可能对未来的智能手机市场格局产生影响。

IT之家 12 月 12 日消息，韩媒 chosun 昨日（12 月 11 日）发布博文，报道称三星电子高管透露，第 2 代 3nm GAA（Gate-All-Around）工艺进入稳定阶段，并称 System SLI 和代工厂事业部之间已结束“互相推诿责任”，改而合作推进新芯片商用。

Exynos 2500 的研发目标是 Galaxy S25 系列，但受三星晶圆代工（ Foundry）事业部 3 纳米制程良率低下的制约，以及性能方面落后于高通骁龙系列的因素，导致整个移动 AP 业务陷入危机。

而最新消息称三星已解决 3 纳米良率问题，为 Exynos 2500 的应用铺平了道路，但报告中并未提及具体良率比例。

三星电子高管向该媒体透露，IT之家翻译如下：

在 3 纳米第 2 代晶圆代工工艺中，首次应用了全环绕晶体管（GAA）技术，确实在量产方面遇到了一些困难。

但现在工艺已经稳定，开始量产只是时间问题。由于初期产量不足，Galaxy S25 系列可能难以搭载该技术，但 Z Flip 系列（应该是指 Galaxy Z Flip7 和 Galaxy Z Flip FE）完全可以搭载该芯片。

一直以来，Exynos 2500 的商业化之路并不顺利，晶圆代工事业部和系统 LSI 事业部之间互相推诿责任是事实。但是现在，为了稳定工艺，双方已达成协议，最大限度地加强合作。