近日，多家媒体报道长江存储“借壳上市”的不实传闻，长江存储发布声明否认，称其无任何“借壳上市”的意愿，并与“万润科技”等上市公司无直接业务合作。长江存储作为国产存储领域的领军企业，其自研的Xtacking架构可将3D NAND的层数堆叠到232层，在国际市场上具有极强的竞争优势。尽管面临美国的出口限制和实体清单压力，长江存储已成功采用国产半导体设备替代部分美系设备，并成功制造出3D NAND闪存芯片。

🙅‍♂️长江存储郑重声明：近期多家媒体捏造、散布和传播长江存储“借壳上市”的不实传闻，长江存储明确表示，公司从未有任何“借壳上市”的意愿，坚决否认了这一传闻。

🤝长江存储进一步澄清：公司与包括“万润科技”在内的多家上市公司并无直接的业务合作关系，希望相关媒体和机构停止传播不实信息。

🛡️面对外部压力，长江存储展现出强大的自主研发能力：公司自研的Xtacking架构能够实现3D NAND闪存芯片高达232层的堆叠，这一技术水平即使与国际知名制造商如美光、三星和SK海力士相比，也具有极强的竞争力。

🇨🇳长江存储积极推进国产化替代：在面临美国出口限制和被列入实体清单的双重压力下，长江存储已成功采用包括中微半导体、北方华创和拓荆科技在内的国产半导体设备公司的设备，替代了部分美系设备，并成功制造出3D NAND闪存芯片。

⚖️长江存储维护自身权益：公司表示将保留追究相关单位法律责任的权利，以维护自身合法权益和市场声誉。

12月9日消息，针对外界的传闻，长江存储公开回应称，他们没有上市的打算。

长江存储发布声明称，近期多家媒体捏造、散布和传播长江存储“借壳上市”的不实传闻。为澄清事实，我司发表声明如下：

一、长江存储从无任何“借壳上市”的意愿。     

二、长江存储与“万润科技”等上市公司无直接业务合作。

三、请相关单位自重并立即停止一切失实报道。我司将保留追究相关单位法律责任的权利。

作为国产存储之光，之前有消息称长江存储在面临美国出口限制和被列入实体清单的双重压力下，已成功采用国产半导体设备替代部分美系设备。

长江存储自研Xtacking架构可让3D NAND的层数堆叠到232层，即使与美光、三星和SK海力士等知名制造商相比，也具有极强的竞争优势。

据悉，长江存储已经使用中微半导体设备公司的蚀刻设备、北方华创的沉积与蚀刻设备，以及拓荆科技的沉积设备，成功制造出3D NAND闪存芯片。

【本文结束】如需转载请务必注明出处：快科技

责任编辑：雪花

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