近日，多家媒体报道长江存储可能“借壳上市”，对此，长江存储发布声明予以否认，表示公司从未有任何“借壳上市”的意愿，并与相关上市公司无直接业务合作。长江存储在面临美国出口限制和被列入实体清单的双重压力下，已成功采用国产半导体设备替代部分美系设备。其自研的Xtacking架构可让3D NAND的层数堆叠到232层，即使与美光、三星和SK海力士等知名制造商相比，也具有极强的竞争优势。据悉，长江存储已成功使用国产设备制造出3D NAND闪存芯片。

🙅‍♀️针对近期多家媒体捏造、散布和传播长江存储“借壳上市”的不实传闻，长江存储发布声明：公司从未有任何“借壳上市”的意愿，并表示将保留追究相关单位法律责任的权利。

🤝长江存储在声明中指出，公司与“万润科技”等上市公司并无直接业务合作，澄清了与相关上市公司的关系。

🛡️长江存储在面临美国出口限制和被列入实体清单的双重压力下，已成功采用国产半导体设备替代部分美系设备，展现了其在技术研发和生产方面的自主能力。

💡长江存储自研的Xtacking架构可让3D NAND的层数堆叠到232层，这一技术即使与美光、三星和SK海力士等知名制造商相比，也具有极强的竞争优势。

🇨🇳据悉，长江存储已经使用中微半导体设备公司的蚀刻设备、北方华创的沉积与蚀刻设备，以及拓荆科技的沉积设备，成功制造出3D NAND闪存芯片，彰显了国产半导体产业链的实力。

12月9日消息，针对外界的传闻，长江存储公开回应称，他们没有上市的打算。

长江存储发布声明称，近期多家媒体捏造、散布和传播长江存储“借壳上市”的不实传闻。为澄清事实，我司发表声明如下：

一、长江存储从无任何“借壳上市”的意愿。

二、长江存储与“万润科技”等上市公司无直接业务合作。

三、请相关单位自重并立即停止一切失实报道。我司将保留追究相关单位法律责任的权利。

作为国产存储之光，之前有消息称长江存储在面临美国出口限制和被列入实体清单的双重压力下，已成功采用国产半导体设备替代部分美系设备。

长江存储自研Xtacking架构可让3D NAND的层数堆叠到232层，即使与美光、三星和SK海力士等知名制造商相比，也具有极强的竞争优势。

据悉，长江存储已经使用中微半导体设备公司的蚀刻设备、北方华创的沉积与蚀刻设备，以及拓荆科技的沉积设备，成功制造出3D NAND闪存芯片。