Intel在IEDM 2024上展示了多项技术突破，包括减成法钌互连技术，可降低线间电容高达25%，改善芯片内互连。此外，Intel还展示了一种异构集成解决方案，将吞吐量提升高达100倍，实现超快速的芯片间封装。同时，硅基RibbionFET CMOS技术、用于微缩的2D FETs栅氧化层模块，以及300毫米GaN技术也取得进展，为功率器件和射频器件带来更强性能。Intel认为，先进内存集成、混合键合和模块化系统将是未来十年AI能效提升的关键创新方向。

🌠Intel展示的减成法钌互连技术，最高可将线间电容降低25%，有助于改善芯片内部互连，提高芯片性能和效率。

🚀Intel率先展示了一种用于先进封装的异构集成解决方案，该方案能够将吞吐量提升高达100倍，实现超快速的芯片间封装，从而显著提升芯片间数据传输速度。

💽Intel展示了硅基RibbionFET CMOS技术，以及用于微缩的2D FETs的栅氧化层模块，这些技术可以提高设备性能，为未来更小、更强大的芯片奠定基础。

💡在300毫米GaN技术方面，Intel制造了业界领先的高性能微缩增强型GaN MOSHEMT，通过减少信号损失，提高信号线性度和基于衬底背部处理的先进集成方案，为功率器件和射频器件等应用带来更强的性能。

🔮Intel认为，先进内存集成、用于优化互连带宽的混合键合，以及模块化系统及相应的连接解决方案，这三个关键创新将有助于AI在未来十年朝着能效更高的方向发展。

今天Intel发文介绍了在IEDM 2024（2024年IEEE国际电子器件会议）上展示的多项技术突破。在新材料方面，减成法钌互连技术（subtractive Ruthenium）最高可将线间电容降低25%，有助于改善芯片内互连。

Intel代工还率先展示了一种用于先进封装的异构集成解决方案，能够将吞吐量提升高达100倍，实现超快速的芯片间封装（chip-to-chip assembly）。

此外，Intel代工还展示了硅基RibbionFET CMOS （互补金属氧化物半导体）技术，以及用于微缩的2D场效应晶体管（2D FETs）的栅氧化层（gate oxide）模块，以提高设备性能。

在300毫米GaN（氮化镓）技术方面，Intel代工也在继续推进研究，制造了业界领先的高性能微缩增强型GaN MOSHEMT（金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管）。

可以通过减少信号损失，提高信号线性度和基于衬底背部处理的先进集成方案，为功率器件和射频器件等应用带来更强的性能。

Intel代工还认为，以下三个关键的创新着力点将有助于AI在未来十年朝着能效更高的方向发展：

先进内存集成（memory integration），以消除容量、带宽和延迟的瓶颈；

用于优化互连带宽的混合键合；

模块化系统（modular system）及相应的连接解决方案