Intel在IEDM 2024上展示了多项技术突破，包括新材料、先进封装和硅基RibbionFET CMOS技术等。其中，减成法钌互连技术可将线间电容降低25%，异构集成解决方案能将吞吐量提升高达100倍。此外，Intel还展示了用于微缩的2D场效应晶体管的栅氧化层模块，以及业界领先的高性能微缩增强型GaN MOSHEMT技术。Intel代工认为，先进内存集成、混合键合和模块化系统将是未来十年AI能效提升的关键创新方向。

🚀Intel在IEDM 2024上展示了减成法钌互连技术，该技术最高可将线间电容降低25%，有助于改善芯片内互连，从而提高芯片性能和能效。

📦Intel代工率先展示了一种用于先进封装的异构集成解决方案，该方案能够将吞吐量提升高达100倍，实现超快速的芯片间封装，这对于高性能计算和AI应用至关重要。

💎Intel代工展示了硅基RibbionFET CMOS技术，以及用于微缩的2D场效应晶体管（2D FETs）的栅氧化层模块，这些技术能够提高设备性能，为未来的芯片制造提供新的可能性。

⚡️在300毫米GaN技术方面，Intel代工制造了业界领先的高性能微缩增强型GaN MOSHEMT，该技术可以通过减少信号损失，提高信号线性度和基于衬底背部处理的先进集成方案，为功率器件和射频器件等应用带来更强的性能。

💡Intel代工认为，先进内存集成、用于优化互连带宽的混合键合以及模块化系统及相应的连接解决方案，这三个关键的创新着力点将有助于AI在未来十年朝着能效更高的方向发展。

快科技12月8日消息，今天Intel发文介绍了在IEDM 2024（2024年IEEE国际电子器件会议）上展示的多项技术突破。

在新材料方面，减成法钌互连技术（subtractive Ruthenium）最高可将线间电容降低25%，有助于改善芯片内互连。

Intel代工还率先展示了一种用于先进封装的异构集成解决方案，能够将吞吐量提升高达100倍，实现超快速的芯片间封装（chip-to-chip assembly）。

此外，Intel代工还展示了硅基RibbionFET CMOS （互补金属氧化物半导体）技术，以及用于微缩的2D场效应晶体管（2D FETs）的栅氧化层（gate oxide）模块，以提高设备性能。

在300毫米GaN（氮化镓）技术方面，Intel代工也在继续推进研究，制造了业界领先的高性能微缩增强型GaN MOSHEMT（金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管）。

可以通过减少信号损失，提高信号线性度和基于衬底背部处理的先进集成方案，为功率器件和射频器件等应用带来更强的性能。

Intel代工还认为，以下三个关键的创新着力点将有助于AI在未来十年朝着能效更高的方向发展：

先进内存集成（memory integration），以消除容量、带宽和延迟的瓶颈；

用于优化互连带宽的混合键合；

模块化系统（modular system）及相应的连接解决方案