SK海力士将为定制HBM4内存导入台积电3nm工艺基础裸片，以满足英伟达等美国科技企业需求。HBM4世代基础裸片将转向逻辑半导体工艺并支持客户定制电路，提升AI半导体运行效率。SK海力士的HBM4基础裸片将由台积电代工，3nm版本有望提升20%~30%性能。标准款HBM4仍将采用N12FFC+基础裸片，而定制产品则升级至3nm。三星电子HBM4基础裸片将导入4nm制程，两家公司预计于2025年下半年推出首批HBM4产品。

🤔SK海力士将为定制HBM4内存导入台积电3nm工艺基础裸片，以满足英伟达等美国科技企业对高性能内存的需求，提升AI半导体运行效率。

💡HBM4世代基础裸片将全面转向逻辑半导体工艺，并支持客户定制电路，以满足不同应用场景的个性化需求。

📈台积电3nm工艺版本有望进一步提升HBM4内存性能20%~30%，相比N12FFC+和N5制程拥有更强的性能优势。

📅SK海力士和三星电子预计将于2025年下半年推出首批HBM4产品，两家公司在HBM内存领域展开激烈竞争。

🔄SK海力士标准款HBM4将采用N12FFC+基础裸片，而定制产品则升级至3nm，三星电子HBM4基础裸片则将导入4nm制程。

IT之家 12 月 4 日消息，据两家韩国姊妹媒体 hankyung、KED Global 近两日报道，SK 海力士将为定制 HBM4 内存导入更为先进的台积电 3nm 工艺基础裸片，以响应英伟达等美国大型科技企业的需求。

随着 HBM 内存的演进，基础裸片（IT之家注：即 Base Die、Logic Die、Interface Die）承担的工作也愈发复杂，到 HBM4 世代基础裸片将全面转向逻辑半导体工艺并支持客户定制电路，以提升 AI 半导体运行效率。

SK 海力士的 HBM4 基础裸片将由台积电代工，此前台积电就已展示过 N12FFC+ 制程“性价比”款和 N5 制程“高性能”款设计，而 3nm 版本有望进一步提升 20%~30% 性能。

据悉，SK 海力士的标准款 HBM4 仍将采用 N12FFC+ 基础裸片，而定制产品则将从此前考虑的 5nm 升级至 3nm。另外一方面，三星电子的 HBM4 基础裸片将导入 4nm 制程。

SK 海力士此前曾表示将于 2025 下半年推出首批 HBM4 产品，三星电子的时间表也大致相当。