佰维存储发布了采用1bnm制程工艺的LPDDR5X内存，数据传输速率提升至8533Mbps，较上一代产品提升33%，功耗降低25%。该内存通过先进的时钟技术、电路设计、信号完整性技术以及优化内部时序参数等手段，实现了更高的数据传输速率和更低的功耗。此外，它还采用了降低辅助电源电压、动态电压和频率调节技术以及自适应刷新技术等，进一步降低功耗，延长电池寿命。该内存主要应用于旗舰智能手机等终端设备，容量包括8GB、12GB和16GB。

🚀 **LPDDR5X数据传输速率提升：**佰维LPDDR5X内存的数据传输速率高达8533Mbps，相比上一代产品提升了33%。这得益于其采用了更先进的时钟技术和电路设计，支持更高的时钟频率，并引入了更先进的信号完整性和抗干扰技术，确保高速传输的稳定性和可靠性。

🔋 **功耗降低25%：**佰维LPDDR5X内存通过1bnm制程工艺、降低辅助电源电压、动态电压和频率调节技术（DVFS）以及自适应刷新技术等手段，将功耗降低了25%。这些技术有效地减少了不必要的功耗，延长了电池寿命。

📱 **应用于旗舰智能手机等终端设备：**佰维LPDDR5X内存主要应用于旗舰智能手机、平板电脑等对性能和功耗要求较高的终端设备，提供更流畅的用户体验。其容量包括8GB、12GB和16GB，满足不同设备的需求。

🧪 **严格的测试流程：**佰维存储采用Advantest T5503HS2半导体测试机台，结合自研自动化测试设备、测试软件平台和核心测试算法，覆盖了从设计验证到量产测试的全过程，确保产品质量和可靠性。

IT之家 11 月 11 日消息，佰维存储今日推出了 LPDDR5X 内存，产品采用了 1bnm 制程工艺，与上一代产品相比，数据传输速率提高 33% 至 8533Mbps，功耗降低 25%，容量为 8GB、12GB、16GB（ES 阶段），用于旗舰智能手机等终端设备。

佰维 LPDDR5X 的数据传输速率可达 8533Mbps，较上代产品提升 33%。这一提升主要得益于 LPDDR5X 采用了更先进的时钟技术和电路设计，支持更高的时钟频率，从而实现更快的数据传输。同时，为了在更高的频率下保持信号的稳定性和可靠性，LPDDR5X 引入了更先进的信号完整性和抗干扰技术。

此外，LPDDR5X 通过降低电压摆幅和采用更高效的驱动器和接收器设计，提高了信号的驱动能力和接收灵敏度，从而支持更高的数据传输速率。

LPDDR5X 还优化了内部时序参数，降低了 CAS Latency，减少了数据访问等待时间，并通过改进行激活时间和行预充电时间，提高了整体效率。

佰维 LPDDR5X 采用了 1bnm 制程工艺，产品通过降低辅助电源电压（VDD2），减少了整体功耗。产品还进一步优化了动态电压和频率调节技术（DVFS），可根据实际负载情况动态调整工作电压和频率；在空闲时进入深度睡眠模式（Deep-sleep mode），降低功耗，延长电池寿命。

此外，LPDDR5X 引入了自适应刷新技术，可根据实际工作条件动态调整刷新周期。这使得内存可以在保持数据完整性的同时，减少不必要的刷新操作，从而降低功耗。IT之家附一图知如下：

测试方面，佰维存储采用了半导体测试机台 Advantest T5503HS2，并结合自研的自动化测试设备，以及自研测试软件平台、核心测试算法，覆盖了从设计验证到量产测试的全过程。